Röntgenmikroskopie
Photoresists
Anorganische Photoresists
Silberlose anorganische Photoresists
Silberhaltige anorganische Photoresists
Modelle zur photostimulierten Dotierung
Eigenschaften des silberhaltigen AR-Systems
Randverstärkungseffekt
Ausbleicheffekt
Anisotropes Ätzverhalten
Verringerung unerwünschter Interferenzerscheinungen
Erwartungen in den anorganischen Photoresist
Hohe Auflösung
Hoher Kontrast
Hohe Empfindlichkeit
Untersuchungen am Ag2S:GeSx-Resistsystem
Herstellung der Legierung
Herstellung der Legierung im Schmelzofen
Herstellung dünner Schichten
Herstellung dünner Schichten durch Aufschleudern
Atom-Absorptions-Spektroskopische Untersuchungen
Herstellung dünner GeSx-Schichten in Vakuumprozessen
Aufbau der Vakuumanlage
Einfache thermische Verdampfung
Einfache Flash-Verdampfung
Verdampfung aus Effusionszellen
Verdampfung aus Effusionszellen
Untersuchungen zur reproduzierbaren Sensibilisierung
Trockene Sensibilisierung
Nasse Sensibilisierung
Photometrische Schichtdickenbestimmung
Untersuchungen zur Desensibilisierung
Untersuchungen des Entwicklungsverfahrens
Naße Entwicklung
Trockene Entwicklung
Das reaktive Ionen-Ätzen
Untersuchungen zu verschiedenen Bestrahlungen
Belichtungen im optischen Spektralbereich
Belichtungen im ultravioletten Spektralbereich
Belichtungen mit weicher Röntgenstrahlung
Bestrahlung mit Elektronenstrahlen
Das Elektronenlithographische System
Untersuchungen zum Elektronenstrahlschreiben im GeS2-Resist
Untersuchungen zum Strukturierungsverfahren
Mehrschichtverfahren
Trockenätzverhalten von GeS2-Schichten
Untersuchungen zur Dunkeldiffusion