Abstrakt Doktorarbeit

Abstrakt


In dieser Arbeit wird die Verwendbarkeit des anorganischen Resistsystems Ag2S:GeSx für die Sub-Mikrometerlithographie untersucht. Speziell die Anwendung zur Herstellung von Zonenplatten für die Röntgenmikroskopie stand im Mittelpunkt. Es werden Vergleiche zum in der Literatur referierten Ag2Se:Ge(1-x)Sex-Resistsystem gezogen. Es werden Kontrast- und Empfindlichkeitsbestimmungen für Bestrahlungen im optischen, ultra-violetten und weichen Röntgenbereich, wie auch für die Bestrahlung mit Elektronen unternommen. Mittels UV-Belichtungen und Elektronenstrahlbelichtungen wurden Auflösungstests unternommen. Die einzelnen Prozeßschritte werden untersucht und Standards eingeführt. Es wird gezeigt, daß es sich beim Ag2S:GeSx-Resistsystem um ein mäßig empfindliches, sehr kontrastreiches, partiell sehr stabiles System handelt. Es werden Schichten untersucht, die wesentlich dünner als 100 nm sind. Es wurden 18 nm Strukturen mittels Elektronenstrahllithographie in den Resist übertragen. 55 nm breite Stege und Lücken konnten in Germanium mit einem Zweischichtsystem übertragen werden. Beim Ag2S:GeSx-Resistsystem handelt es sich um ein neu entwickeltes Resistsystem für die Nanometerlithographie. Die vorgestellten Prozeßschritte zeichnen sich durch ihre geringe Toxizität aus.


© Jan Ingwersen